| (e,2e)反应中剩余电子的屏蔽效应 |
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| 引用本文： | 方锐,张穗萌.(e,2e)反应中剩余电子的屏蔽效应[J].合肥工业大学学报(自然科学版),1999(6). |
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| 作者姓名： | 方锐 张穗萌 |
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| 作者单位： | 安徽皖西联合大学工学系!安徽六安237001(方锐)，安徽六安师范专科学校物理系!安徽六安237012(张穗萌) |
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| 摘 要： | 在考虑了He原子(e,2e)过程中剩余电子对核的有效屏蔽之后,用修正后的BBK理论计算了入射能为40eV时,共面不对称几何条件下电子入射离化He原子的三重微分截面(TDCS)。结果表明:得到的理论曲线更接近实验数据
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| 关 键 词： | 屏蔽 修正 有效电荷 |
The shield effect of the residual electron in (e,2e) processes |
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| FANG Rui ,ZHANG Sui meng.The shield effect of the residual electron in (e,2e) processes[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),1999(6). |
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| Authors: | FANG Rui ZHANG Sui meng |
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| Institution: | FANG Rui 1,ZHANG Sui meng 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | shield modification effective charge |
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