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| 硅,锗衬底上的软硬碳氢膜 | |
| 引用本文： | 于明湘,施华.硅,锗衬底上的软硬碳氢膜[J].西北大学学报,1989,19(3):10-10,18. |
| 作者姓名： | 于明湘 施华 |
| 作者单位： | 西北大学物理系 (于明湘，吴鹏，柳伟，刘文蓉，何大韧，刘买利)，西北光学仪器厂工艺所(施华) |
| 基金项目： | 陕西省科委基金FE—85307，第三世界科学院(TWAS)基金№87—24支持。 |
| 摘 要： | 我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜(a-C:H),所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔(C_2H_2)外,还使用了液态源戌烷(C_5H_(12))。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4～2.8W/cm~2(未能精确测量),直流偏压0～600V,气体流量0.3～0.61/min,反应室内压强0.01～1托,衬底温度:室温～300℃。 |
| 关 键 词： | 碳氢膜 衬底 非晶碳氢膜 硅 锗 |
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