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苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩-thieno[3,4-易]thiadiazole导电性的理论研究
作者姓名:邓理丹  苏宇  申明金  曹洪斌
作者单位:川北医学院化学教研室,四川南充637000
基金项目:川北医学院科研发展计划项目(CBYl3-A-QN29)
摘    要:采用密度泛函理论,在B3LYP/6—31G(d)水平下,对苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩(BDT)-thieno[3,4-b]thiadiaz01e(TD)的低聚物和聚合物进行了理论计算.其中,BDT为电子供体,TD为电子受体,以1:2的方式结合形成化合物,并计算了二面角、分子内的电荷传输、桥键键长和中心键电荷密度.结果显示:随着聚合链增长,共轭程度增加.NICSs值显示:中心环比边环的共轭程度更大.聚合物的能带结构表明:该聚合物的带隙比较低(0.87eV),故其可以作为潜在的导电材料.

关 键 词:密度泛函理论  苯并[1  2-b  4  5-b’]二噻吩  共轭聚合物  导电材料
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