摘 要: | 采用密度泛函理论,在B3LYP/6—31G(d)水平下,对苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩(BDT)-thieno[3,4-b]thiadiaz01e(TD)的低聚物和聚合物进行了理论计算.其中,BDT为电子供体,TD为电子受体,以1:2的方式结合形成化合物,并计算了二面角、分子内的电荷传输、桥键键长和中心键电荷密度.结果显示:随着聚合链增长,共轭程度增加.NICSs值显示:中心环比边环的共轭程度更大.聚合物的能带结构表明:该聚合物的带隙比较低(0.87eV),故其可以作为潜在的导电材料.
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