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| 12GHz频段波导传输型FET放大器 | |
| 作者姓名： | 林金清 |
| 作者单位： | 福州大学无线电系 |
| 摘 要： | 本文叙述了应用ＧａＡｓ ＭＥＳ ＦＥＴ直接安装在矩形波导管内,实现波导型二端口场效应晶体管放大的结构;同时,介绍利用Ｓｍｉｔｈ园图进行匹配设计的工程近似法;以及从工程的观点导出噪声系数的转换公式．并把这些结果用于研制１２ＧＨｚ频段ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ低噪声波导传输型放大器。当应用国产ＷＣ—６０型砷化镓场效应晶体管（该管用在５０欧微带放大系统时,测得功率增益为９ｄＢ;噪声系数为２．６ｄＢ）制成一级功率增益ＧＰ≥１０ｄＢ;噪声系数ＮＦ≥２ｄＢ的波导传输型前置放大器, |
| 关 键 词： | GaAs MES FET AMPLIFIER 12GHz BAND AMPLIFIER WAVEGUIDE TRANSMISSION-TYPE AMPLIFIERS |
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