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| 掺K钨酸铅晶体的计算机模拟 | |
| 作者姓名： | 张飞武张启仁 刘廷禹陶琨 |
| 作者单位： | 上海理工大学,理学院,上海,200093;上海理工大学,理学院,上海,200093;上海理工大学,理学院,上海,200093;上海理工大学,理学院,上海,200093 |
| 摘 要： | 应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体,在不同杂质离子浓度下,K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能,明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应,揭示了低浓度掺K^ ：PbWO4的350nm吸收带减弱的原因．计算结果表明,高浓度掺K离子将消除420nm吸收带,改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能． |
| 关 键 词： | PWO 掺杂 计算机模拟 GULP |
| 文章编号： | 1007-6735(2004)06-0509-03 |
| 修稿时间： | 2004-06-03 |
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