| 射频功率对反应磁控溅射法沉积的a-C:F薄膜的影响 |
| |
| 引用本文： | 江美福,宁兆元. 射频功率对反应磁控溅射法沉积的a-C:F薄膜的影响[J]. 苏州大学学报(医学版), 2003, 19(4): 51-56 |
| |
| 作者姓名： | 江美福 宁兆元 |
| |
| 作者单位： | 苏州大学物理科学与技术学院，苏州大学物理科学与技术学院 江苏苏州 215006，江苏苏州 215006 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目:(10175048) |
| |
| 摘 要： | 以高纯石墨作靶、CHF3／Ar作源气体，采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2．18)的氟化非晶碳(a—C：F)薄膜．薄膜的结构和性质由红外吸收光谱、紫外可见光光谱、沉积速率及介电常数等作了表征，有关数据显示，薄膜的沉积速率随着射粒输入功率的增大而上升，所沉积的a—C：F薄膜中存在着一定比例的苯环结构，改变射频功率可以改变薄膜中的F／C比值，调制薄膜中环式结构与链式结构的比例，从而影响薄膜的介电常数和光学带隙等性能。
|
| 关 键 词： | 氟化非晶碳薄膜 a-C：F薄膜 反应磁控溅射沉积法 射频功率 介电常数 薄膜结构 沉积速率 |
| 文章编号： | 1000-2073(2003)04-0051-06 |
| 修稿时间： | 2003-04-10 |
Influence of RF input power on a-C:F films prepared by reactive magnetron sputtering |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | reactive magnetron sputtering a-C:F films Fourier transform infrared spectroscopy |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
