| 降低Fe-N软磁薄膜矫顽力的途径 |
| |
| 引用本文： | 李丹,周剑平,顾有松,常香荣,李福燊,乔利杰,田中卓,方光旦,宋庆山.降低Fe-N软磁薄膜矫顽力的途径[J].自然科学进展,2002,12(11):1177-1181. |
| |
| 作者姓名： | 李丹 周剑平 顾有松 常香荣 李福燊 乔利杰 田中卓 方光旦 宋庆山 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京科技大学材料物理系,北京,100083
2. 中国科学院计算技术研究所,北京,100080 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:19392300、19890310)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低H c 成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键.在低功率200W下溅射沉积200nm的薄膜,在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A为5%～7%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms可达2.4T,H c <80A/m.但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而H c 往往因厚度增加而增加.提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A 为5.9%～8.5%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms=2.2T,H c 仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.
|
| 关 键 词： | Fe-N 软磁 薄膜 矫顽力 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《自然科学进展》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《自然科学进展》下载免费的PDF全文 |
|
