| 一种单电子晶体管的模拟新方法 |
| |
| 引用本文： | 陈亚琦,谭乔来.一种单电子晶体管的模拟新方法[J].科学技术与工程,2008,8(16). |
| |
| 作者姓名： | 陈亚琦 谭乔来 |
| |
| 作者单位： | 1. 湖南师范大学物理与信息科学学院,长沙,410081;湘南学院物理系,郴州,423000
2. 湖南师范大学物理与信息科学学院,长沙,410081 |
| |
| 摘 要： | 基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。
|
| 关 键 词： | 单电子晶体管 主方程法 伏安特性 |
New Simulation Method of Single Electron Transistor |
| |
| CHEN Ya-qi,TAN Qiao-lai.New Simulation Method of Single Electron Transistor[J].Science Technology and Engineering,2008,8(16). |
| |
| Authors: | CHEN Ya-qi TAN Qiao-lai |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学技术与工程》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学技术与工程》下载免费的PDF全文 |
|
