| 氧化浓缩法制备SGOI材料 |
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| 引用本文： | 程新利,沈娇艳,潘涛.氧化浓缩法制备SGOI材料[J].苏州科技学院学报(自然科学版),2012,29(4):12-16. |
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| 作者姓名： | 程新利 沈娇艳 潘涛 |
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| 作者单位： | 苏州科技学院数理学院,江苏苏州,215009 |
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| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基础研究项目 |
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| 摘 要： | 利用SiGe/SOI材料的高温常压氧化技术,研制了SGOI材料。通过透射电镜和Raman光谱分析,获得了SGOI材料的微结构和成份特性。实验结果表明,经过高温氧化,原来的SiGe/SOI材料中的SOI层转变成SiGe层,SiGe层的成分分布均匀,并且通过产生位错等缺陷释放应变,因而形成了具有高度弛豫SiGe层的SGOI材料。
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| 关 键 词： | 绝缘体上锗硅 氧化 弛豫 |
Preparation of SGOI materials by oxidation condensation technology |
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| CHENG Xinli,SHEN Jiaoyan,PAN Tao.Preparation of SGOI materials by oxidation condensation technology[J].Journal of University of Science and Technology of Suzhou,2012,29(4):12-16. |
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| Authors: | CHENG Xinli SHEN Jiaoyan PAN Tao |
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| Institution: | (School of Mathematics and Physics,SUST,Suzhou 215009,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SGOI oxidation relaxation |
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