| 半导体激光光强分布的部分相干模型 |
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| 引用本文： | 杜亮,梁一平. 半导体激光光强分布的部分相干模型[J]. 重庆师范大学学报(自然科学版), 2010, 27(6). DOI: 10.3969/J.ISSN.1672-6693.2010.06.017 |
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| 作者姓名： | 杜亮 梁一平 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学,物理学与电子工程学院,重庆市高校光学工程重点实验室,重庆,400047;重庆师范大学,物理学与电子工程学院,重庆市高校光学工程重点实验室,重庆,400047 |
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| 基金项目： | 重庆市科委攻关项目,重庆市教委应用基础研究项目 |
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| 摘 要： | 激光远场光强分布一般与输出功率大小有关,在相同功率水平下,不同激光二极管的远场分布往往不同,因此需要一种模型能全面地描述不同半导体激光器在各种情况下的远场分布.根据半导体激光器发出的激光具有部分相干性和双光束的部分相干性原理,利用瑞利-索莫菲衍射积分公式,提出并推导得出了描述半导体激光远场分布的新理论模型.在激光二极管远场光强慢轴方向理论模型可表示为I(O,θ,z)=I0(z)cos4θ·[1+2γcos(4πα/λ sinθ+ψ]exp[-2π2/qλ2sin2θ],已观察到的远场光强分布与曲线符合得更准确.和已有的一些理论模型相比,新模型不但有可靠的推理论据,而且能够通过q、γ、ψ等参数的调整来描述不同激光二极管光强的远场分布.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 能流密度 部分相干光 远场分布 发光元 |
A Partially Coherent Model for Intensity Distribution of Laser Diode |
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| DU Liang,LIANG Yi-ping. A Partially Coherent Model for Intensity Distribution of Laser Diode[J]. Journal of Chongqing Normal University:Natural Science Edition, 2010, 27(6). DOI: 10.3969/J.ISSN.1672-6693.2010.06.017 |
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| Authors: | DU Liang LIANG Yi-ping |
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