| Mg_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
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| 作者单位： | 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳550025,贵阳550025,贵阳550025,贵阳550025,贵阳550025 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994eV;其价带主要由Si的3p以及Mg的3s,3p态电子构成,导带主要由Mg的3s,3p以及Si的3p态电子构成;静态介电常数ε1(0)=18.89;折射率n0=4.3460;吸收系数最大峰值为356474.5cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。
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| 关 键 词： | Mg2Si 第一性原理 电子结构 光学性质 |
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