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陶瓷表面金属化Cu薄膜应力调控
引用本文:周灵平,陈道瑞,彭坤,朱家俊,汪明朴.陶瓷表面金属化Cu薄膜应力调控[J].湖南大学学报(自然科学版),2010,37(11):55-59.
作者姓名:周灵平  陈道瑞  彭坤  朱家俊  汪明朴
作者单位:(1湖南大学 材料科学与工程学院,湖南 长沙410082;2中南大学 材料科学与工程学院,湖南 长沙410083)
摘    要:利用直流磁控溅射方法在AlN陶瓷表面沉积了单层Cu薄膜,采用X射线衍射方法研究了沉积温度对薄膜应力的影响,并用有限元方法模拟不同温度下沉积的Cu薄膜中的热应力及变形分布情况.沉积的薄膜应力表现为张应力,并随沉积温度的升高先增大后减小,沉积温度为200℃左右时,薄膜应力达到最大值;在AlN表面引入过渡界面可明显地减小薄膜应力,并根据微观结构和物理性质的变化等对薄膜应力的变化进行了解释.

关 键 词:金属化  薄膜  应力  AlN  沉积温度

Stress Control of Metalized Copper Thin Film on AlN Ceramic Surface
ZHOU Ling-ping,CHEN Dao-rui,PENG Kun,ZHU Jia-jun,WANG Ming-pu.Stress Control of Metalized Copper Thin Film on AlN Ceramic Surface[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2010,37(11):55-59.
Authors:ZHOU Ling-ping  CHEN Dao-rui  PENG Kun  ZHU Jia-jun  WANG Ming-pu
Abstract:
Keywords:metallization  thin  film  stress  AlN  deposited temperature
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