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| 离子注入的~(75)As在SiO_2薄膜中的射程参数 | |
| 作者姓名： | 张兆林 张建华 刘吉田 刘向东 卢居新 于小亭 李金华 |
| 作者单位： | 山东大学物理系，常州半导体厂 |
| 摘 要： | 用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析，测出了７５Ａｓ在样品中的射程分布．将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒｅｘｐｐ与ＴＲＩＭ９０程序计算的Ｒｃａｌｐ值符合得很好，而ΔＲｐ的值符合较差，ΔＲｅｘｐｐ普遍大于ΔＲｃａｌｐ．上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散 |
| 关 键 词： | 离子注入；RBS分析；平均投影射程；射程歧离 |
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