|
|||||
|
|
| GaAs／GexSi1—x系统的电子能带结构 | |
| 引用本文： | 徐至中.GaAs／GexSi1—x系统的电子能带结构[J].复旦学报(自然科学版),1995,34(3):269-276. |
| 作者姓名： | 徐至中 |
| 摘 要： | 采用紧束缚方法计算生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｊ２）４／（ＧａＡｓ）的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。 |
| 关 键 词： | 应变外延层 砷化镓 半导体 电子能带结构 硅 硒 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |