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| GaAs／GexSi1—x系统的光学性质 | |
| 作者姓名： | 徐至中 |
| 摘 要： | 采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层的带间光跃迁振子强度，以及生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变超晶格的三次非线性光极化率。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 半导体 锗硅合金 光学性质 |
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