|
|||||
|
|
| GaP：V^3＋自旋允许谱的精细结构的研究 | |
| 作者姓名： | 马健 杜懋陆 |
| 作者单位： | ：马健(西南民族学院物理系,四川 成都 610041) |
| 摘 要： | 在ＧａＰ：Ｖ＾３＋晶体中,对＾３Ａ２→＾３Ｔ１（Ｆ）,＾３Ａ２→＾３Ｔ１（Ｐ）以及＾３Ａ２→＾３Ａ２→＾３Ｔ２（Ｆ）３组自旋允许跃迁均已在实验中得到它们的精细结构。同时考虑静电、晶场自旋－轨道耦合作用,计算了ＧａＰ：Ｖ＾３＋的旋轨耦合分裂,理论计算与实验符合很好。此外,还对这３组自旋允许跃迁的精细结构进行了识别,结果表明,＾３Ａ２→＾３Ｐ１（Ｐ）跃迁的２条１３８７４,１３８９０和１３９４６ｃｍ＾－ |
| 关 键 词： | 自旋－轨道耦合 精细结构 磷化镓 自旋允许谱 |
| 文章编号： | 1001-8395(2000)02-0153-03 |
| 修稿时间： | 1999-10-26 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |