| 高剂量的~(40)Ar~+离子注入硅热退火行为的研究 |
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| 引用本文： | 谭春雨,夏日源,郑胜男,阎建华,王豫生.高剂量的~(40)Ar~+离子注入硅热退火行为的研究[J].山东大学学报(理学版),1987(4). |
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| 作者姓名： | 谭春雨 夏日源 郑胜男 阎建华 王豫生 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系
(谭春雨，夏日源)，中国原子能科学研究院
(郑胜男，阎建华)，中国原子能科学研究院(王豫生) |
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| 摘 要： | 用沟道—卢瑟福背散射技术(RBS)研宄了能量为50 KeV,剂量为3.8×10~(16)/cm~2和1.9×10~(16)/cm~2的~(40)Ar~+离子注入(111)硅衬底中的恒温等时热退火行为。结果表明,离子注入层中Ar 原子的扩散和释放以及非晶硅层的再结晶行为明显地依赖于~(40)Ar~+离子的注入剂量和退火温度。注入剂量为3.8×10~(16)/cm~2的样品,当退火温度为700℃时,表面层硅的密度明显减小,退火温度为750℃时,注入层中的大部分Ar 发生外扩散并从样品表面释放。注入剂量为1.9×10~(16)/cm~2的样品,退火过程中没有发现衬底硅表面密度的变化,而且当退火温度为900℃时,残留在注入层中的Ar 仍旧比较多。最后对这些现象进行了讨论和解释。
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| 关 键 词： | 离子注入 硅单晶 结晶行为 热退火处理 |
THERMAL ANNEALING BEHAVIOUR OF HIGH DOSE ~(40)Ar~+ ION IMPLANTED SILICON LAYERS |
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| Tan Chunyu Xia Yueyuan Zheng Shengnan Yan Jianhua and Wang Yusheng.THERMAL ANNEALING BEHAVIOUR OF HIGH DOSE ~(40)Ar~+ ION IMPLANTED SILICON LAYERS[J].Journal of Shandong University,1987(4). |
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| Authors: | Tan Chunyu Xia Yueyuan Zheng Shengnan Yan Jianhua and Wang Yusheng |
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| Institution: | Tan Chunyu Xia Yueyuan Zheng Shengnan Yan Jianhua and Wang Yusheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation silicon single crystal recrystalizationbehaviour thermal annealing treatment |
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