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Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的磁控溅射法制备与介电性能研究
引用本文:王今朝,章天金,王军,江娟,潘瑞坤,何军.Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的磁控溅射法制备与介电性能研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2007,29(2):160-163.
作者姓名:王今朝  章天金  王军  江娟  潘瑞坤  何军
作者单位:湖北大学材料科学与工程学院 湖北武汉430062
基金项目:湖北省自然科学基金(2001ABA094)资助课题
摘    要:用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜.研究沉积气压和衬底温度对BST薄膜结构及介电性能的影响.应用XRD和AFM表征薄膜的物相结构及其表面形貌,通过阻抗分析仪测量薄膜的介电性能.结果表明在3.0 Pa沉积气压和600℃衬底温度下制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有较好的微结构和介电性能.

关 键 词:BST薄膜  磁控溅射  介电性能
文章编号:1000-2375(2007)02-0160-04
收稿时间:2006-06-29
修稿时间:2006-06-29

Preparation and dielectric properties of Ba0.65Sr0.35TiO3 thin films by magnetron sputtering
WANG Jin-zhao,ZHANG Tian-jin,WANG Jun,JIANG Juan,PAN Rui-kun,HE Jun.Preparation and dielectric properties of Ba0.65Sr0.35TiO3 thin films by magnetron sputtering[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2007,29(2):160-163.
Authors:WANG Jin-zhao  ZHANG Tian-jin  WANG Jun  JIANG Juan  PAN Rui-kun  HE Jun
Institution:School of Materials Science and Engineering, Hubei University, Wuhan 430062, China
Abstract:
Keywords:BST thin films  magnetron sputtering  dielectric properties
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