| a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的电学特性研究 |
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| 引用本文： | 王印月,许怀哲,陈光华.a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的电学特性研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1993(1). |
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| 作者姓名： | 王印月 许怀哲 陈光华 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系 兰州730000
(王印月，许怀哲)，兰州大学物理系 兰州730000(陈光华) |
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| 摘 要： | 测量了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的平行电导和垂直电导,研究了超晶格的结构和输运机理;实验观察到了强场下垂直电导的指数增强效应,得到阱层 a-Ge∶H 的深隙态密度N_g=1.9×10~(18)cm~(-3)·ev~(-1).对实验结果作了初步讨论.
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| 关 键 词： | 超点阵 电导率 能隙 |
Investigation on Electrical Characteristic of Reactive-sputtering a-Si:H/a-Ge:H Superlattices |
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| Wang Yinyue,Xu Huaizhe,Chen Guanghua.Investigation on Electrical Characteristic of Reactive-sputtering a-Si:H/a-Ge:H Superlattices[J].Journal of Lanzhou University(Natural Science),1993(1). |
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| Authors: | Wang Yinyue Xu Huaizhe Chen Guanghua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | superlattice electrical conductivity energy gap |
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