| Sin/Sin-（n=710）的结构和电子亲合能的研究 |
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| 作者姓名： | 杨桔材 徐文国 肖文胜 |
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| 作者单位： | 1. 北京理工大学,理学院,北京,100081;内蒙古工业大学,化工学院,内蒙古,呼和浩特,010062
2. 北京理工大学,理学院,北京,100081 |
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| 摘 要： | 选用4种不同的密度泛函理论方法(B3LYP,BLYP,BP86,B3P86),在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP )下,对Sin/Si-n (n=7～10)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能.预测Si7/Si-7,Si8/Si-8,Si9/Si-9和Si10/Si-10的基态结构分别为D5h(1A′ 1)/D5h(2A″ 2),C2h(1Ag)/C3υ(2A2),Cs(1A′)/Cs(2A′)和C3υ(1A1)/C3υ(2A1).理论预测Si7,Si8,Si9和Si10的电子亲合能分别为1.90,2.59,2.07和2.20 eV,BLYP方法预测的电子亲合能最为可靠的.
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| 关 键 词： | 硅 分子结构 电子亲合能 密度泛函理论 基态结构 电子亲合能 研究 Silicon Electron Affinity 密度泛函理论方法 理论预测 体系 基组 弥散函数 极化 全电子 |
| 文章编号： | 1001-0645(2005)10-0922-04 |
| 收稿时间： | 2004-11-01 |
| 修稿时间： | 2004-11-01 |
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