GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应 |
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引用本文: | 王丽青,班士良.GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2013(3):273-279. |
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作者姓名: | 王丽青 班士良 |
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作者单位: | 内蒙古大学物理科学与技术学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(No.61274098) |
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摘 要: | 选取三量子阱模型,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响,主要计算激子结合能随阱宽和垒厚的变化关系以及Al组分的影响.结果表明,当阱宽较大时,结合能随势垒厚度的变化先增加后趋于稳定值;当阱宽较小时,结合能随垒厚则先减至极小值后再增加.上述结论与通常的有限深势阱之结果相差较大,此修正可为相关的理论和实验提供参考.结果还显示,有限厚势垒情形结合能随压力线性增加的趋势明显小于无限厚势垒情形.
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关 键 词: | 激子结合能 三量子阱 压力效应 |
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