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| 硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善 | |
| 作者姓名： | 张晓青 夏钟福 潘永刚 张冶文 李宝清 林梓辛 |
| 作者单位： | 1. 同济大学波耳固体物理研究所, 上海 200092;2. 中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!（59682003）,中科院离子束开放研究实验室课题资助项目!（硼离子注入对Si3N4薄膜驻极体性能的改善） |
| 摘 要： | 利用硼离子B+注入方法来改善Si3N4薄膜的力学性质,并就B+注入对Si3N4薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B+注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。 |
| 关 键 词： | 氮化硅薄膜 硼离子注入 驻极体 内应力 |
| 收稿时间： | 1999-08-09 |
| 修稿时间： | 1999-12-12 |
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