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硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善
作者姓名:张晓青  夏钟福  潘永刚  张冶文  李宝清  林梓辛
作者单位:1. 同济大学波耳固体物理研究所, 上海 200092;2. 中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
基金项目:国家自然科学基金!(59682003),中科院离子束开放研究实验室课题资助项目!(硼离子注入对Si3N4薄膜驻极体性能的改善)
摘    要:利用硼离子B+注入方法来改善Si3N4薄膜的力学性质,并就B+注入对Si3N4薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B+注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。

关 键 词:氮化硅薄膜  硼离子注入  驻极体  内应力  
收稿时间:1999-08-09
修稿时间:1999-12-12
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