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| 二维巨磁阻磁头表面场的计算 | |
| 作者姓名： | 孙志英 韦丹 |
| 作者单位： | 清华大学,材料科学与工程系,北京,100084;清华大学,材料科学与工程系,北京,100084 |
| 摘 要： | 为了研究磁阻磁头的读出电压 ,有必要从理论的角度求得磁阻磁头的表面场。真实磁头用一个二维磁头近似来求解表面场及相关的磁势。磁势满足 Laplace方程 ,利用能量最低原理求得磁势及表面归一化场。根据磁头的磁记录性质确定边界条件。结果表明 :巨磁阻磁头的高频读出性能显著优于电感磁头 |
| 关 键 词： | 磁阻磁头 表面归一化场 表面磁势 |
| 修稿时间： | 1999-07-15 |
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