| 单层石墨和多层石墨的电子能带结构 |
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| 引用本文： | 尤景汉,汤正新,琚伟伟,李同伟.单层石墨和多层石墨的电子能带结构[J].河南科技大学学报(自然科学版),2009,30(4):93-96. |
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| 作者姓名： | 尤景汉 汤正新 琚伟伟 李同伟 |
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| 作者单位： | 河南科技大学,理学院,河南,洛阳,471003 |
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| 基金项目： | 河南省教育厅自然科学基金项目(2007140004);;河南科技大学青年基金项目(2008ZY036) |
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| 摘 要： | 用紧束缚方法得到了单层石墨材料中π和π^＊能带的解析表达式；当考虑前三近邻原子的相互作用时，紧束缚方法的计算结果与第一性原理计算结果符合很好。在前三近邻紧束缚近似的基础上，考虑到层问原子的相互作用，进而得到了多层石墨的π和π^＊能带结构。
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| 关 键 词： | 单层石墨 多层石墨 紧束缚近似 能带结构 |
Electronic Structures of Graphene and Multilayer Graphene |
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| YOU Jing-Han,TANG Zheng-Xin,JU Wei-Wei,LI Tong-Wei.Electronic Structures of Graphene and Multilayer Graphene[J].Journal of Henan University of Science & Technology:Natural Science,2009,30(4):93-96. |
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| Authors: | YOU Jing-Han TANG Zheng-Xin JU Wei-Wei LI Tong-Wei |
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| Institution: | Science College;Henan University of Science & Technology;Luoyang 471003;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Graphene Multilayer graphene Tight-binding approximation Electronic structure |
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