| 斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测 |
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| 引用本文： | 董小兵,张少云,徐传骧. 斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测[J]. 西安交通大学学报, 2004, 38(6): 623-626 |
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| 作者姓名： | 董小兵 张少云 徐传骧 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电气工程学院,710049,西安 |
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| 基金项目： | 国家“2 1 1工程”建设自制设备资助项目 (2 0 1 1 0 1 0 0 4C) |
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| 摘 要： | 采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.
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| 关 键 词： | 硅器件 表面耗尽区 光感生电流 |
| 文章编号： | 0253-987X(2004)06-0623-04 |
| 修稿时间： | 2003-11-02 |
Surface Characteristics of Bevel-Shaped High Voltage Silicon Devices Detected by Optical Beam Induced Current Method |
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| Dong Xiaobing,Zhang Shaoyun,Xu Chuanxiang. Surface Characteristics of Bevel-Shaped High Voltage Silicon Devices Detected by Optical Beam Induced Current Method[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 2004, 38(6): 623-626 |
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| Authors: | Dong Xiaobing Zhang Shaoyun Xu Chuanxiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon device surface depletion region optical beam induced current |
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