低压低功耗大带宽高增益CMOS运算放大器设计研究

大学生创新创业训练计划项目深入研究分析了传统两级互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）运算放大电路,并提出了一种基于共源共栅间接补偿结构的CMOS高性能运算放大器。该放大器能够克服因传统密勒补偿电容过大而导致带宽过低的难题。项目计划采用中芯国际180 nm 1.8 V CMOS工艺和华大九天的电子设计自动化（Electronic Design Automation,EDA）软件进行设计。最终结果显示：在TT工艺角和25℃情况下功耗1.64 mW,单位增益带宽为377.71 MHz,相位裕度为82.87°,开环增益82.35 dB,等效输入噪声172.02 nV/√Hz@1kHz。