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| 利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件 | |
| 作者姓名： | 徐静波 张海英 王文新 刘亮 黎明 付晓君 牛洁斌 叶甜春 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院物理研究所,北京,100080 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）;装备预先研究项目;中国科学院微电子研究所所长基金 |
| 摘 要： | 电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础. |
| 关 键 词： | 电子束光刻 应变高电子迁移率晶体管 T型栅 电流增益截止频率 |
| 收稿时间： | 2007-09-24 |
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