凹槽栅砷化镓金属—半导体场效应晶体管的二维稳态有限元分析 |
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作者姓名: | 陈贵灿 刘之行 |
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作者单位: | 西安交通大学电子系(陈贵灿,邵志标),西安交通大学数学系(刘之行,徐成贤,李显志),西安交通大学数学系(朱维宝) |
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摘 要: | 本文叙述用有限元方法对凹槽栅GaAs MESFET’s器件进行稳态模拟的程序。半导体基本方程的离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;有限元网格采用非均匀剖分及局部加密细分,程序能对结点编序优化,缩小带宽,这对凹槽栅器件,优点更为明显;在用耦合法求解非线性方程组中,采用予优共轭梯度法和牛顿迭代法相结合的新方法,对给定的偏压能一次计算成功。
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关 键 词: | 晶体管 GaAs MESFET`s 稳态 有限元 |
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