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| S钝化InN(001)面第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 戴宪起 韦俊红 田勋康 |
| 作者单位： | 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007;河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007;河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 河南省高校科技创新人才支持计划 |
| 摘 要： | Ⅲ族氮化物半导体是性能优越的半导体材料,在光电子器件方面已有重要的应用,特别是InN具有较小的有效电子质量,较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度,被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景,这就引起了人们越来越多的关注. |
| 关 键 词： | 钝化 氧 硫 InN 第一原理 吸附能 |
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