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高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷
引用本文:陈章其,汪云华,吴冲若.高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷[J].东南大学学报(自然科学版),1997(6).
作者姓名:陈章其  汪云华  吴冲若
作者单位:东南大学电子工程系
摘    要:采用真空高频感应加热法制备SrTiO3晶界层电容器半导瓷,研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响.所制备的半导瓷经二次烧结成的SrTiO3BLC,其视在介电常数Keff>3×104,损耗角正切tanδ≈10-2,绝缘电阻率ρ>1010Ω·cm.

关 键 词:SrTiO_3  半导体陶瓷  高频感应  晶界层电容器

Preparation of SrTiO_3 Based Semiconductive Ceramics by High Frequency Induction Heating Device
Chen Zhangqi,Wang Yunhua,Wu Chongruo.Preparation of SrTiO_3 Based Semiconductive Ceramics by High Frequency Induction Heating Device[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),1997(6).
Authors:Chen Zhangqi  Wang Yunhua  Wu Chongruo
Abstract:
Keywords:SrTiO_3  semiconductor ceramics  high frequency induction  boundary layer capacitors
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