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| 分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究 | |
| 引用本文： | 白元强,莫庆伟.分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究[J].北京科技大学学报,1999,21(2):182-184. |
| 作者姓名： | 白元强 莫庆伟 |
| 作者单位： | [1]北京科技大学材料科学与工程学院 [2]中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 报道了利用分子束外延技术在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长的单层及多层ＩｎＡｓ量子点材料的透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论。结果表明，多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随着ＩｎＡｓ量子点层数的增加，量子点的密度下降，其尺寸随层数的增加趋向均匀，在试验条件下，５层量子点材料的ＩｎＡｓ量子眯厚度和ＧａＡｓ隔离层的厚度的选择都比较合理，其生长过程中的应变场更有利于自组织量 |
| 关 键 词： | 分子束外延 量子点 电子显微镜 TEM 砷化铟 |
| 修稿时间： | 1998-07-31 |
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