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| GaN／InGaN应变层临界厚度的计算 | |
| 引用本文： | 郑江海. GaN／InGaN应变层临界厚度的计算[J]. 漳州师范学院学报, 2009, 22(3): 68-72 |
| 作者姓名： | 郑江海 |
| 作者单位： | 漳州师范学院,物理与电子信息工程系,福建,漳州,363000 |
| 摘 要： | 本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Matthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN/InGaN异质结应变层临界厚度进行理论计算,再结合实验值进行比较分析,发现PB模型比较能准确估计GaN/InGaN异质结应变层临界厚度.最后进一步考虑热应力对临界厚度的影响时,发现对其影响不大. |
| 关 键 词： | 异质结 应变层 临界厚度 |
Calculation of the Critical Layer Thickness for GaN/InGaN |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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