| 高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜 |
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| 引用本文： | 姜恩永,.高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜[J].科学通报,1996,41(4):370-373. |
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| 作者姓名： | 姜恩永 |
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| 作者单位： | 天津大学应用物理系!天津300072(姜恩永，林川，刘明升，王合英，张荣实，吴萍，袁红莉)，清华大学材料科学与工程系!北京100084(孙多春)，北京大学 (汪际) |
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| 摘 要： | 尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘，但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和
磁化强度（Bs一258 T严之后．制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4］．
然而，由于它是亚稳相，迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单
晶薄膜，并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线．关于
卜；刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁．作者曾详
细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷，本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜，井清
晰地观察到了沿［l叫和［110方向的电子衍射花样．磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高
达 264～ 289 Wbha’．
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| 关 键 词： | 对向靶溅射 Fe16N2 饱和磁化强度 单晶 薄膜 |
| 收稿时间： | 1995-02-27 |
| 修稿时间： | 1995-06-13 |
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