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| GaN电子结构与光学性质的第一原理研究 | |
| 作者单位： | ;1.延安大学物理与电子信息学院 |
| 摘 要： | 采用了基于密度泛函理论和广义梯度近似方法计算了GaN电子结构和光学性质.计算结果表明,GaN属于直接带隙半导体,静态介电常数为5.72,折射率为2.2.并利用计算所得图形,分析了GaN的能带结构、态密度、介电函数、折射率和能量损失函数,从理论上阐述了GaN材料电子结构与光学性质的关系,计算结果与实验结果相符. |
| 关 键 词： | GaN晶体 电子结构 密度泛函 光学性质 |
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