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| 低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长技术研究 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 摘 要： | β-Ga_2O_3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga_2O_3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga_2O_3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga_2O_3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长方法。 |
| 关 键 词： | β-Ga2O3 宽带隙 单晶 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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