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| 基底的平整度对电化学制备BaMoO_4薄膜成核速率的影响 | |
| 作者单位： | ;1.绵阳职业技术学院;2.江西理工大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 在金属片Mo上用恒电流电化学技术制备了从薄膜开始成核到生长结束不同时间的BaMoO_4晶态薄膜,并利用SEM、XRD等相关测试手段,对这些薄膜进行测试分析,结果发现,在相同的制备条件下,在薄膜生长的开始阶段,由于基底不平整(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平)的位置电流密度要比平整处大,使得该处基片的溶解速率加快,形成的有利生长基元的数目就较多,故导致基底上不平整的位置BaMoO_4薄膜成核速率就大。 |
| 关 键 词： | 电化学技术 BaMoO_4薄膜 有利生长基元 成核速率 |
Effect of Substrate Flatness on the Nucleation Rate of BaMoO_4 Thin Films Prepared by Electrochemical Method |
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