Al沉积n型多孔硅表面钝化及其发光性能 |
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引用本文: | 宋晓岚,张颖,黄书涛,张铭婉,喻振兴.Al沉积n型多孔硅表面钝化及其发光性能[J].中南大学学报(自然科学版),2013(9):3569-3573. |
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作者姓名: | 宋晓岚 张颖 黄书涛 张铭婉 喻振兴 |
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作者单位: | 中南大学资源加工与生物工程学院 |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(“863”计划)项目(2007AA06Z121);国家自然科学基金资助项目(50774095);中南大学大学生创新训练项目(CL12111) |
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摘 要: | 采用电化学沉积Al方法钝化用脉冲电化学腐蚀制备的n型多孔硅(n-type porous silicon,n-PS)表面以改善其发光性能和稳定性。通过扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)及在室温于500~700 nm范围内荧光光谱研究n-PS表面Al钝化后的表面结构、形貌及光致发光性能(PL),探讨Al在n-PS表面的钝化作用,并通过改变电压和时间研究钝化条件对PL性能的影响。研究结果表明:多孔硅经Al钝化后其表面结构显得更加致密均匀;与钝化前相比,其发光强度加强,约为钝化前的2倍,且分别在钝化电压为18 V及钝化时间为60 min或钝化电压为25 V及钝化时间为30 min左右时,其发光强度较高。
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关 键 词: | n型多孔硅 Al沉积 表面钝化 光致发光性能 |
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