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基于高光谱成像的不同花期薇甘菊特征分析及监测模型研究
作者姓名:马云强  刘雪莲  刘梦盈  石雷  张忠和  赵宁
作者单位:{{if article.pacs && article.pacs != '}}PACS: {{article.pacs}}{{/if}}
基金项目:国家重点研发计划(2018YFC1200400);
摘    要:薇甘菊是世界上危害巨大的杂草之一,入侵能力强,严重威胁当地生态系统. 使用SOC710VP成像光谱仪获取薇甘菊不同花期高光谱数据,选取与薇甘菊不同花期显著相关的参数,建立不同花期监测模型. 结果表明,盛花期和未开花期光谱反射率存在明显“绿峰”和“红谷”,整体值大小依次为盛花期、未开花期、枯花期;一阶微分曲线在绿光波段、红边,未开花期、盛花期和枯花期均存在明显波峰,且值的大小依次为未开花期、盛花期、枯花期;在750~900 nm,盛花期和未开花期波峰、波谷出现波段范围大致相似,枯花期出现3个波峰,峰值依次减小;薇甘菊不同花期与光谱反射率及光谱一阶微分在529~671、734~744、770~786、791~796 nm和833~838 nm极显著相关,以NDVI、RVI、GI、DVI和HI特征参数构建的多元线性回归模型的拟合效果最佳. 根据薇甘菊高光谱特征参数建立的监测模型,可有效地监测薇甘菊不同花期,研究结果可用于薇甘菊发生发展的监测.  

关 键 词:高光谱成像   薇甘菊   特征提取  
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