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IGBT极限电流与极限功耗的识别方法
引用本文:周文俊,刘希真,李正勤,张立.IGBT极限电流与极限功耗的识别方法[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),2002,35(2):239-242.
作者姓名:周文俊  刘希真  李正勤  张立
作者单位:[1]温州大学信息科学与工程学院,温州325027 [2]天津大学自动化与能源工程学院,天津300072
摘    要:研究了IGBT在过电流的状态下,静态输出特性及动态电流和电压波形的变化规律,提出了IGBT极限电流与极限功耗的识别方法,阐明了因过电流和过损耗致使IGBT失效的机理。

关 键 词:IGBT  绝缘门极晶体管  极发功耗  极限电流  识别  失效机理
文章编号:0493-2137(2002)02-0239-04
修稿时间:2001年7月9日

Identification Method of IGBT Limiting Current and
ZHOU Wen jun ,LIU Xi zhen ,LI Zheng qin ,ZHANG Li.Identification Method of IGBT Limiting Current and[J].Journal of Tianjin University(Science and Technology),2002,35(2):239-242.
Authors:ZHOU Wen jun  LIU Xi zhen  LI Zheng qin  ZHANG Li
Institution:ZHOU Wen jun 1,LIU Xi zhen 1,LI Zheng qin 1,ZHANG Li 2
Abstract:This paper focuses on the static output characteristics as well as the changing laws of dynamic waveforms of device current and voltage in the state of over current.An identification method for IGBT's critical current and critical power loss is first proposed.The mechanism of device failure from the over current and power loss is analyzed.
Keywords:IGBT  critical power loss  critical current  identification  failure mechanism
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