| Gd-Ni界面的电子结构及其氧化现象 |
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| 引用本文： | 朱俊发,徐法强,孙玉明,徐彭寿,张新夷,庄叔贤.Gd-Ni界面的电子结构及其氧化现象[J].中国科学技术大学学报,2000,30(3):374-378. |
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| 作者姓名： | 朱俊发 徐法强 孙玉明 徐彭寿 张新夷 庄叔贤 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室
2. 中国科学技术大学化学物理系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!(298730 42)，国家同步辐射实验室!(9348)资助项目 |
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| 摘 要： | 用同步辐射光电发射谱 (SRPES)和XPS研究了室温下Gd膜在Ni(1 1 0 )上的生长和Gd Ni界面的电子结构以及它们的氧化现象 .发现Gd膜在高覆盖度时Gd 4f为双峰结构 ,高温退火使 4f双峰退为单峰 .氧在 3.7nm的Gd膜上的吸附引起Gd 4f双峰中高结合能峰的衰减 ,在 0L～ 5 0L的氧暴露量范围内 ,只存在单一的晶格氧物种 .在轻微氧化的Gd Ni复合薄膜上 ,氧吸附引起Gd向表面的偏析和进一步氧化 ,并存在化学吸附氧 (O-)和晶格氧两种氧物种 .本文对Gd 4f双峰的起源 ,Gd氧化机理以及氧物种的本质进行了讨论
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| 关 键 词： | 氧化 电子结构 SRPES 镍 镉膜 生长 界面 |
| 修稿时间： | 1999-12-10 |
The Electronic Structure and Oxidation of Gd-Ni Interface |
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| ZHU Jun-fa,XU Fa-qiang,SUN Yu-ming,XU Peng-shou,ZHANG Xin-yi,ZHUANG Shu-xian.The Electronic Structure and Oxidation of Gd-Ni Interface[J].Journal of University of Science and Technology of China,2000,30(3):374-378. |
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| Authors: | ZHU Jun-fa XU Fa-qiang SUN Yu-ming XU Peng-shou ZHANG Xin-yi ZHUANG Shu-xian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Gd Ni(110) synchrotron radiation photoemission spectroscopy XPS oxidation |
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