场效应管噪声特性的理论分析 |
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作者姓名: | 高振明 王利民 |
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作者单位: | 山东大学电子系,山东大学电子系 78级研究生 |
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摘 要: | 本文在场效应管(FET)所适用的频率范围内,考虑了对FET噪声特性有影响的各种因素,导出了表征FET噪声特性的几个表达式——噪声系数F(Y,T)、最小噪声系数Fmin(f)、最佳源导纳T_(sopt)(f)=Gsopt jBsopt。并根据所导出的表达式,利用计算机计算的数据画出了噪声特性曲线。讨论和比较了FET三种电路配置的噪声特性及各噪声源对FET短路输出电流的贡献。
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