| 慢中子对高T_c超导体的双重辐照效应及其机理探讨 |
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| 引用本文： | 金继荣.慢中子对高T_c超导体的双重辐照效应及其机理探讨[J].科学通报,1993,38(17):1557-1557. |
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| 作者姓名： | 金继荣 |
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| 作者单位： | 南京大学固体微结构实验室，南京大学固体微结构实验室，南京大学固体微结构实验室，南京大学固体微结构实验室，南京大学固体微结构实验室，南京大学固体微结构实验室，南京大学固体微结构实验室，南京大学固体微结构实验室，山东大学晶体材料研究所，山东大学晶体材料研究所 南京 210008，南京 210008，南京 210008，南京 210008，南京 210008，南京 210008，南京 210008，南京 210008，济南 250100，济南 250100 |
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| 基金项目： | 国家超导联合研究开发中心，国家教委博士点基金 |
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| 摘 要： | 高T_c超导体(HTSC)实际应用的关键之一是,人为地在HTSC里引入钉扎中心,从而增强磁通钉扎,较大幅度地提高临界电流密度J_c。实验证明,在提高J_c上,中子辐照比电子和质子辐照至少有效1000倍。近年来中子辐照已成为理论研究和实际应用的热门课题。当前人们所研究的大都是来自反应堆的,高通量(～10~(16)—10~(18)n/cm_2)快中子(E_n>0.1MeV)对HTSC的辐照效应。 Y系和Bi系多晶样品在高通量快中子辐照以后,样品的磁
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| 关 键 词： | 高Tc 超导体 临界温度 慢中子 辐照 |
| 收稿时间： | 1992-10-30 |
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