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a-Si∶H薄膜的激光诱导结晶
引用本文:孟祥东.a-Si∶H薄膜的激光诱导结晶[J].松辽学刊,2004,25(1):28-29.
作者姓名:孟祥东
作者单位:吉林师范大学物理学院 吉林四平136000
摘    要:利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a-Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a-Si:H层形成纳米硅颗粒.

关 键 词:薄膜  激光  诱导晶化
文章编号:1000-1840-(2004)01-0028-02
修稿时间:2003年12月8日

Crystallization of a-Si Film Induced by Pulsed Laser
MENG Xiang-dong.Crystallization of a-Si Film Induced by Pulsed Laser[J].Songliao Journal (Natural Science Edition),2004,25(1):28-29.
Authors:MENG Xiang-dong
Abstract:We prepared a-Si:H thin film by plasma-enhanced chemical vapor deposition system.We employed pulsed laser to irradiate a-Si:H and crystallize it.The results of Raman scattering spectroscopy and Electron diffraction show that nanocrystal Silicon (nc-Si) has been formed within as-deposition a-Si:H layer.
Keywords:thin film  Laser  induced crystallization
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