| CMOS门电路的功率与数据相关性 |
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| 引用本文： | 李翔宇,孙义和. CMOS门电路的功率与数据相关性[J]. 清华大学学报(自然科学版), 2005, 45(7): 985-988 |
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| 作者姓名： | 李翔宇 孙义和 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60236020) |
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| 摘 要： | 为了研究电路实现形式对密码芯片抗“功耗分析攻击”能力的影响,考察了CMOS门电路的交流馈通对电源电流的影响,输入组合对电路充放电网络的影响以及静态电流的数据相关性。对静态逻辑、N/P型动态逻辑和差分Domi-no逻辑的这3种信息泄漏机制进行了具体分析,并对这4种逻辑的2输入与门和或门进行了仿真。静态电路和普通动态电路不同输入变化对应的电流曲线间的最大差值都大于60μA,而差分Domino电路的所有电流曲线之差小于2μA。结果表明:采用N型Domino逻辑,并使数据输入只在时钟为高时有效,相对于其他逻辑功耗信息泄漏要小。
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| 关 键 词： | 场效应型集成电路 数据安全 功耗分析 差分功耗 功耗数据相关性 |
| 文章编号： | 1000-0054(2005)07-0985-04 |
| 修稿时间： | 2004-06-20 |
Correlation between power and data in CMOS gates |
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| LI Xiangyu,SUN Yihe. Correlation between power and data in CMOS gates[J]. Journal of Tsinghua University(Science and Technology), 2005, 45(7): 985-988 |
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| Authors: | LI Xiangyu SUN Yihe |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS circuits data security power analysis differential power analysis power-data correlation |
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