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| V2NO2/TiSi2N4异质结界面性质调控的理论研究 | |
| 引用本文： | 冯继辰,马宁,牛丽.V2NO2/TiSi2N4异质结界面性质调控的理论研究[J].高师理科学刊,2024(1):51-55. |
| 作者姓名： | 冯继辰 马宁 牛丽 |
| 作者单位： | 1. 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院;2. 哈尔滨师范大学计算机科学与信息工程学院 |
| 摘 要： | 使用第一性原理计算研究了外加电场对V2NO2/TiSi2N4异质结构接触类型和肖特基势垒的调控．计算结果表明，外电场可以有效地调控V2NO2/TiSi2N4肖特基势垒的高度及其异质结的接触类型．正负向外电场均能实现V2NO2/TiSi2N4异质结构p型与n型肖特基接触之间的动态转化．此项工作为基于TiSi2N4半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管的应用提供理论基础． |
| 关 键 词： | MXenes 异质结 肖特基势垒 第一性原理 MA2Z4 |