| AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究 |
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| 作者姓名： | 姜伟 李书平 刘达艺 康俊勇 |
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| 作者单位： | 福建省半导体材料及应用重点实验室,厦门大学物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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基础科研资助项目
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国家自然科学基金
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福建省厦门市科技计划 |
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| 摘 要： | 采用椭圆偏振光谱对MOCVD生长的AlN薄膜在波长430~850 nm的光学参数进行了测量.通过建立不同的物理和色散模型,分别考察了薄膜表面和界面的椭偏效应.拟合结果表明,AlN薄膜的物理模型在引入表面层后,两类色散模型拟合的数据均与椭偏光谱实验数据吻合得很好.进一步考虑界面层所拟合的结果显示,界面层对Lorentz色散模型的影响较小,并且,其拟合所得AlN薄膜厚度与扫描电镜所测厚度一致,因此,认为仅含表面层的Lorentz色散模型更简单实用.
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| 关 键 词： | 色散模型 椭圆偏振光谱仪 AlN 光学常数 |
| 文章编号： | 1000-2243(2007)S0-S011-04 |
| 修稿时间： | 2007-07-18 |
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