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AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究
引用本文:姜伟,李书平,刘达艺,康俊勇.AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究[J].福州大学学报(自然科学版),2007,35(Z1):11-14.
作者姓名:姜伟  李书平  刘达艺  康俊勇
作者单位:福建省半导体材料及应用重点实验室,厦门大学物理系,福建,厦门,361005
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) , 基础科研资助项目 , 国家自然科学基金 , 福建省厦门市科技计划
摘    要:采用椭圆偏振光谱对MOCVD生长的AlN薄膜在波长430~850 nm的光学参数进行了测量.通过建立不同的物理和色散模型,分别考察了薄膜表面和界面的椭偏效应.拟合结果表明,AlN薄膜的物理模型在引入表面层后,两类色散模型拟合的数据均与椭偏光谱实验数据吻合得很好.进一步考虑界面层所拟合的结果显示,界面层对Lorentz色散模型的影响较小,并且,其拟合所得AlN薄膜厚度与扫描电镜所测厚度一致,因此,认为仅含表面层的Lorentz色散模型更简单实用.

关 键 词:色散模型  椭圆偏振光谱仪  AlN  光学常数
文章编号:1000-2243(2007)S0-S011-04
修稿时间:2007年7月18日

Study on the fitting model of AlN by ellipsometric spectroscopy
JIANG Wei,LI Shu-ping,LIU Da-yi,KANG Jun-yong.Study on the fitting model of AlN by ellipsometric spectroscopy[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2007,35(Z1):11-14.
Authors:JIANG Wei  LI Shu-ping  LIU Da-yi  KANG Jun-yong
Institution:(Fujian Key Laboratory of Semiconductor Materials and Applications, Department of Physics,Xiamen University,Xiamen,Fujian 361005,China)
Abstract:
Keywords:
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