|
|||||
|
|
| 混晶GaAs1—xPx：N中等电子杂质束缚激子的发光 | |
| 引用本文： | 俞容文,郑健生.混晶GaAs1—xPx：N中等电子杂质束缚激子的发光[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(2):189-193. |
| 作者姓名： | 俞容文 郑健生 |
| 摘 要： | 在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ的光致发光进行了研究，在发光谱中分别明显地出现ＮＮｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎｘ束缚激子从孤立Ｎｘ中心到ＮＮｉ中心的热激活转移，分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转 |
| 关 键 词： | 半导体 混晶 束缚激子 发光 砷化镓 半导体 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |