| 不同应变状态下超晶格InAs／GaAs的电子结构 |
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| 引用本文： | 柯三黄,黄美纯.不同应变状态下超晶格InAs／GaAs的电子结构[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(2):182-188. |
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| 作者姓名： | 柯三黄 黄美纯 |
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| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＧａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００ｌ），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进行了全面的第一性原理计算，得出了其能带结构、带隙值及态密度分布，考察了各能隙随层厚的变化规律以及带隙的应变效应，所得结果与光致发光实验数据以及从头计算赝势方法对以ＧａＡｓ为衬底的单层超晶格（ＩｎＡ）１／（ＧａＡｓ）１的计算结果相一致．
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| 关 键 词： | 应变层超晶格，电子结构，第一性原理计算 |
Electronic Structures of Strained-layer Superlattices InAs/GaAs Under Different Strain Conditions |
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| Ke Sanhuang,Huang Meichun,Wang Renzhi.Electronic Structures of Strained-layer Superlattices InAs/GaAs Under Different Strain Conditions[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1995,34(2):182-188. |
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| Authors: | Ke Sanhuang Huang Meichun Wang Renzhi |
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| Institution: | Dept.of Phys. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | strained-layer superlattices Electronic structure Ab initio calculation |
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