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| N—Ga1—xAlxAs的低温光伏特性 | |
| 引用本文： | 连世阳,陈张海.N—Ga1—xAlxAs的低温光伏特性[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(5):711-714. |
| 作者姓名： | 连世阳 陈张海 |
| 摘 要： | 报道了Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ低温光伏的异常特性，在暗条件下降温的样品，其低温光钛的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃，这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ〉０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化。 |
| 关 键 词： | 低温光伏 异常特性 混晶半导体 |
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